

存储芯片正迎来由 AI 驱动的超级周期乱码卡一卡2国色天香。
据IPO早知道消息,证监会官网显示,国产存储巨头长江存储控股股份有限公司(以下简称“长江存储”)启动上市辅导,正式开启A股IPO进程,辅导机构为证券和中信建投。
成立于2016年的长存集团作为一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业乱码卡一卡2国色天香,其全资子公司长江存储估值超1600亿元,是半导体行业估值最高的独角兽。
作为长存集团发展的核心引擎,长江存储在存储芯片技术领域屡获突破,斩获多项国际大奖,为产品创新奠定了坚实的技术基础。
2017年10月,长江存储就通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月乱码卡一卡2国色天香,搭载长江存储自主创新晶栈 Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时业界最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。
值得一提的是,长江存储自主研发的晶栈Xtacking架构是企业的核心技术王牌,该架构开创性地采用了晶圆键合这一关键技术,在传输速度、存储密度、研发效率及生产周期都具有突破性优势。
这里不妨补充一点,在晶栈Xtacking架构推出前,市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA(CMOS under Array)架构——长江存储通过创新布局和缜密验证,亚洲精品久久久久经过长达9年在3D IC领域的技术积累和4年的研发验证后,终于将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数十亿根金属通道的连接,合二为一成为一个整体,拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现,这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能。随着层数的不断增高,基于晶栈®Xtacking® 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本和创新优势。
这一架构凭借独特的设计理念与领先的技术性能,已先后三次斩获FMS奖项,成为全球3D NAND技术领域的重要创新成果。晶栈®Xtacking®4.0创新架构在2025年8月斩获FMS 2025 3D NAND类目“最具创新存储技术奖”,这一奖项的获得,充分印证了长江存储在3D NAND技术领域的重要地位,也体现了国际市场对国产存储芯片技术的高度认可。
不可否认的是,当前全球AI需求爆发、核心硬件成本暴涨,存储芯片正迎来由 AI 驱动的超级周期——中信证券研报表示,受 AI 强劲需求拉动,存储需求将保持高景气度,存储芯片的涨价有望贯穿 2026 年全年并持续带来行业催化。摩根士丹利指出,AI 产业链的瓶颈正从 GPU 转向存储、封装与网络带宽,存储需求的刚性增长将持续至少3-5年。
成立至今,长存集团已完成多轮融资,投资方涵盖国有资本、民营资本、国家集成电路产业投资基金一期及二期等产业资本、五大行等金融资本,以及一众知名VC/PE。





